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黑硅(多晶)太陽(yáng)電池研究再獲突破,轉(zhuǎn)換效率逼近18%

黑硅(多晶)太陽(yáng)電池研究再獲突破,轉(zhuǎn)換效率逼近18%

  • 分類(lèi):公司新聞
  • 發(fā)布時(shí)間:2012-10-20
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【概要描述】近日,中科院微電子所微電子設(shè)備研究室(八室)夏洋研究員帶領(lǐng)的研究團(tuán)隊(duì)聯(lián)合嘉興微電子儀器與設(shè)備工程中心在多晶黑硅太陽(yáng)能電池上再次獲得突破,電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到17.88%,直逼18%,為世界領(lǐng)先水平。

黑硅(多晶)太陽(yáng)電池研究再獲突破,轉(zhuǎn)換效率逼近18%

【概要描述】近日,中科院微電子所微電子設(shè)備研究室(八室)夏洋研究員帶領(lǐng)的研究團(tuán)隊(duì)聯(lián)合嘉興微電子儀器與設(shè)備工程中心在多晶黑硅太陽(yáng)能電池上再次獲得突破,電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到17.88%,直逼18%,為世界領(lǐng)先水平。

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  近日,中科院微電子所微電子設(shè)備研究室(八室)夏洋研究員帶領(lǐng)的研究團(tuán)隊(duì)聯(lián)合嘉興微電子儀器與設(shè)備工程中心在多晶黑硅太陽(yáng)能電池上再次獲得突破,電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到17.88%,直逼18%,為世界領(lǐng)先水平。

  夏洋研究團(tuán)隊(duì)原創(chuàng)性提出利用等離子體浸沒(méi)離子注入技術(shù),在商用多晶硅(156×156mm2)襯底上制備黑硅材料,并將其成功應(yīng)用于太陽(yáng)能電池領(lǐng)域。該方法通過(guò)離子注入反應(yīng),形成致密的納米結(jié)構(gòu),起到良好的陷光作用,使多晶硅的光吸收達(dá)到99%,從而大大提升太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。其文章發(fā)表在Solar Energy Materials and Solar cells、Solar Energy、Energy Procedia、Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena、物理學(xué)報(bào)等多家期刊上,已申請(qǐng)專(zhuān)利30余項(xiàng)。

  其類(lèi)似的工作,如美國(guó)國(guó)家能源實(shí)驗(yàn)室(NREL)采用高品質(zhì)的區(qū)熔(Fz)單晶(8.9×8.9mm2)作為襯底,制備的黑硅太陽(yáng)電池效率為18.2%,但尚處于實(shí)驗(yàn)室樣品階段。(Nature Nanotechnology, 2012年)。

  日前,該團(tuán)隊(duì)和浙江省大型光伏生產(chǎn)企業(yè)密切合作,通過(guò)針對(duì)性的工藝改進(jìn),多晶黑硅太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)達(dá)到17.88%(156mm*156mm),該技術(shù)的應(yīng)用將為我國(guó)光伏企業(yè)擺脫目前困境。

 

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