近日，中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所紅外物理國家重點實驗室胡偉達研究員、武漢大學(xué)廖蕾教授等研究人員在Advanced Functional Materials上發(fā)表研究文章：“High-SensitivityFloating-Gate Phototransistors Based on WS2 and MoS2” （DOI: 10.1002/adfm.201601346）。該文章論述了研究人員在浮柵結(jié)構(gòu)二維材料光電探測器研究方面取得的進展。嘉興科民電子設(shè)備有限公司研發(fā)的KEMICRO-TALD200A型機器在該器件中完成了隧穿和阻隔氧化物的工作，成功助力該光電探測器的研發(fā)工作。

注：此圖為文章中嘉興科民電子KEMICRO-TALD200A型機器設(shè)備

注：上圖摘自文章“High-SensitivityFloating-Gate Phototransistors Based on WS2 and MoS2” （DOI: 10.1002/adfm.201601346）

注：上圖為嘉興科民電子為光電器件研究領(lǐng)域研發(fā)的“原位監(jiān)測等離子增強原子層沉積系統(tǒng)”

　　2004年石墨烯被發(fā)現(xiàn)以來，二維材料吸引了材料，電子，能源等眾多領(lǐng)域研究者的關(guān)注。2010年開始被廣泛關(guān)注的過渡金屬硫族化合物是具有合適帶隙的半導(dǎo)體型二維材料，在電子與光電器件應(yīng)用等方面展現(xiàn)出巨大潛力，為后摩爾時代集成化電子器件的研究開辟了新的方向。二硫化鉬及二硫化鎢等具有代表性的過渡金屬硫化物二維材料具的半導(dǎo)體帶隙與硅、砷化鎵等材料接近，并且?guī)秾挾入S薄膜厚度變化明顯，具有成為新型光電探測器的潛力。
　　胡偉達等研究人員，將傳統(tǒng)浮柵存儲器結(jié)構(gòu)引與光電探測器進行完美結(jié)合，利用浮柵能夠捕獲和釋放載流子的特性，引入一種垂直的“局域電場”，該局域電場能夠完全耗盡背景載流子，克服了之前存在的界面缺陷，高濃度背景載流子等問題。通過這一浮柵結(jié)構(gòu)提高了光電器件在弱光下的探測能力，同時具有優(yōu)異的低功耗特性。該浮柵結(jié)構(gòu)的探測器電流響應(yīng)率可達1090A/W，探測率達3.5×1011Jones。這一成果為基于二維材料的光電子器件提供了新方法與新思路。

注：上圖為文章內(nèi)的光電探測器的具有很低的背景載流子強度

　　嘉興科民電子祝賀中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所紅外物理國家重點實驗室胡偉達研究員、武漢大學(xué)廖蕾教授及其團隊成員在二維材料光電探測器方面取得的積極進展。同時希望能夠在相關(guān)領(lǐng)域繼續(xù)深度合作，取得進一步成果。