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TALD-150L原子層沉積系統(tǒng)

1、最低反應溫度≤50℃（HfO2、Al2O3）； 2、均勻流場，低溫工藝顆粒少； 3、深寬比≥70:1，保型生長。

系統(tǒng)特點：

1、最低反應溫度≤50℃（HfO2、Al2O3）；
2、均勻流場，低溫工藝顆粒少；
3、深寬比≥70:1，保型生長。

關鍵詞: TALD-150L原子層沉積系統(tǒng)

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